بازگشت به بانک اطلاعات پایان نامه ها

شماره دانشجویی : 950076592
نام و نام خانوادگي : امیر شیخ زاده
عنوان پایان نامه : بهینه سازی توزیع جریان در سیم پیچ ها ودابل پنکیک های موازی ترانسفورماتورهای ابررسانای دمای بالا با استفاده از اجزای محدود
دانشكده : دانشکده فنی و مهندسی
گروه تحصيلي : برق
رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي مكانيك - طراحي کاربردي-کارشناسي ارشد
مقطع تحصيلي : کارشناسی ارشد
استاد راهنما (استاد مدعو) : ,
ارسلان حکمتی
استاد مشاور (عضو هیات علمی مرکز) : محمود حسینی علی آبادی ,
چكيده : در این پایان¬نامه، به بررسی میزان اثرگذاری ابعاد و فاصله سیم¬پیچ و دابل¬پنکیک¬های ترانسفورمر HTS، بر اندازه و نحوه توزیع جریان¬های چرخشی و میدان¬های مغناطیسی نشتی در دابل¬پنکیک¬های سمت ثانویه پرداخته شده است. نشان داده شده است که توزیع جریان¬های چرخشی و در پی آن توزیع میدان مغناطیسی در دابل¬پنکیک¬های موازی شده سمت ثانویه ترانسفورمر HTS، با ماتریس معکوس اندوکتانس دابل¬پنکیک¬ها مرتبط است، و همچنین اندازه اندوکتانس نیز به ابعاد و فاصله سیم¬پیج¬ها و دابل¬پنکیک¬ها وابسته است. لذا با شبیه¬سازی یک ترانسفورمر HTS تکفاز به ظرفیت kVA 330 ، kV (0.23 : 10) در نرم¬افزار المان محدود کامسول مولتی¬فیزیک و تغییر گام به گام ابعاد و فاصله برخی پارامترها، به بررسی توزیع جریان و میدان در دابل¬پنکیک¬ها پرداخته شد. این پارامترها شامل تغییر قطر دابل¬پنکیک¬ها (تغییر فاصله عرضی دابل¬پنکیک¬ها از هسته)، تغییر قطر دابل¬پنکیک¬ها و سیم¬پیچ اولیه بطور همزمان (تغییر فاصله عرضی دابل¬پنکیک¬ها و سیم-پیچ اولیه از هسته)، تغییر ارتفاع سیم¬پیچ اولیه و تغییر فاصله طولی دابل¬پنکیک¬ها و سیم¬پیچ اولیه از هسته است. نتایج حاصل از این شبیه¬سازی کمک شایانی در طراحی بهتر ترانسفورمر HTS می¬کند و همچنین درک بهتری از چگونگی نحوه توزیع جریان و توزیع میدان در دابل¬پنکیک¬ها خواهد داد. نشان داده شده است که هرچه قطر دابل¬پنکیک¬ها و سیم¬پیچ اولیه کوچکتر باشد و بعبارتی فاصله عرضی آن¬ها از هسته کمتر باشد، توزیع جریان¬های چرخشی و میدان¬های مغناطیسی در دابل¬پنکیک¬ها بهتر صورت می¬گیرد اما وجود محفظه کریوستات و مسائل عایقی و نحوه سیم¬پیچی رعایت یک حداقل فاصله را الزامی می¬کند. همچنین نشان داده شده است که اگر ارتفاع سیم¬پیچ اولیه کمی کمتر از ارتفاع دابل¬پنکیک¬ها باشد توزیع جریان و میدان مطلوب¬تر است و در غیر اینصورت هرچه ارتفاع سیم¬پیچ اولیه از ارتفاع دابل¬پنکیک¬ها کمتر و یا بیشتر شود، توزیع جریان و میدان نامطلوب¬تر خواهد شد. و در نهایت با در نظر گرفتن محفظه کریوستات نتیجه گرفته شد که اگر فاصله طولی هر دو سیم¬پیچ اولیه و دابل¬پنکیک¬ها از پایین و بالای هسته یکسان باشد، توزیع جریان و میدان بهتر صورت می¬گیرد. کلیدواژه: ابررسانا،HTS، ترانسفورمر HTS، توزیع جریان، شارهای نشتی
كلمات كليدي : ابررسانا،HTS، ترانسفورمر HTS، توزیع جریان، شارهای نشتی
تاريخ دفاع : 1397-10-24