بازگشت به بانک اطلاعات پایان نامه ها

شماره دانشجویی : 930399243
نام و نام خانوادگي : حفیظ اخوت
عنوان پایان نامه : طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور HEMT پر سرعت مبتنی بر InAs و GaN و کاربرد آن در فرکانس بالا
دانشكده : دانشکده فنی و مهندسی
گروه تحصيلي : برق
رشته/گرایش تحصيلي : الکترونيک
مقطع تحصيلي : کارشناسی ارشد
استاد راهنما (عضو هیات علمی مرکز) : علیرضا کاشانی نیا ,
استاد مشاور (استاد مشاور مدعو) : ,
سیدمهدی بنی هاشمی
چكيده : ترانزیستورهای قدرت جهت تقویت توان، کلیدزنی و تطبیق امپدانسی در مدارهای الکترونیکی نقش اساسی را ایفا می کند. از جمله پارامترهای مهم در طراحی ترانزیستورهای قدرت توان خروجی و توانایی کارکرد آن ها در فرکانس های بالا می باشد. تاکنون از سیلیسیوم برای این منظور استفاده شده است اما افزارهای الکترونیک کلاسیک بر پایه سیلیسیوم برای کاربردهای توان بالا با محدودیت هایی مواجه اند. این محدودیت ها از ویژگی های فیزیکی و الکتریکی نیمه هادی ها مانند شکاف نوار انرژی کوچک، سرعت اشباع محدود آنها ناشی می شود که باعث شکست میدان الکتریکی پایین و در نتیجه ولتاژ شکست پایین در افزاره می گردد. افزاره های الکترونیک قدرت نسل دوم با به کارگیری برخی از ترکیبات گروه III-V مانند GaAs، InP و ... تا حدودی توانست محدودیت ها را بهبود ببخشد. اخیرا GaN به دلیل شکاف باند انرژی بزرگ، سرعت اشباع بالا، شکست بالای میدان الکتریکی، ولتاژ شکست بالا، ظرفیت خازن پارازیتی کم، خنثی بودن از لحاظ شیمیایی، هدایت حرارتی بالا بسیار مورد توجه قرار گرفته است به گونه ای که افق های خوب و روشنی در افزاره های قدرت HEMT AlGaN/GaN گشوده است. تحقیق حاضر به طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور پر سرعت HEMT AlGaN/GaN به منظور بهبود ولتاژ شکست و توان خروجی افزاره می پردازد. در این پروژه تکنیک های مختلف و ساختار های مختلف مورد بررسی بررسی قرار گرفته است. توسط نوآوری که در این پروژه انجام شد که از ماده Si3N4 استفاده شد و به نتایج حاصل از شبیه سازی با استفاده از شبیه سازی دو بعدی SILVACO ATLAS رسیدیم که در ترانزیستور پیشنهادی دوگیتی ما ولتاژ شکست به 320 ولت رسید و فرکانس قطع بدست آمده را به 220 تراهرتز رساندیم.
كلمات كليدي : ترانزیستور ، HEMT ، فرکانس بالا
تاريخ دفاع : 1396-06-27