بازگشت به بانک اطلاعات پایان نامه ها

شماره دانشجویی : 920012759
نام و نام خانوادگي : مهیار صابری
عنوان پایان نامه : طراحی و شبیه¬سازی حافظه استاتیک دسترسی تصادفی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی
دانشكده : دانشکده فنی و مهندسی
گروه تحصيلي : برق
رشته/گرایش تحصيلي : الکترونيک
مقطع تحصيلي : کارشناسی ارشد
استاد راهنما (عضو هیات علمی مرکز) : رضا صباغی ندوشن ,
استاد مشاور (استاد مشاور مدعو) : ,
حامد سربازی
چكيده : در این رساله در ابتدا بر روی خواص و مزایای تکنولژی نانو و نیاز به توسعه ان بحث خواهیم کرد سپس مدارهای منطقی باینری را با استفاده از ترانزیستور نانولوله ای کربنی طراحی و شبیه سازی می کنیم. در مرحله ی بعدی، به طراحی و شبیه سازی گیت های منطقی می پردازیم. و در پایان به طراحی یک حافظه SRAM باینری با نانو لوله های کربنی خواهیم پرداخت و بعد از ان بر روی حافظه SRAM در مبنا های بالاتر از باینری بحث خواهیم کرد و یک مدار حافظه استاتیک با دسترسی تصادفی سه سطحی ارائه خواهیم کرد. شبیه سازی را با نرم افزار HSPICE انجام داده و همچنین از مدار جامع ترانزیستور نانولوله ی کربنی که از دانشگاه استنفورد گرفته شده است برای شبیه سازی استفاده شده است.
كلمات كليدي : حافظه استاتیک ، ترانزیستور، نانولوله کربنی
تاريخ دفاع : 1395-11-25